临港新片区集成电路产业若干措施（补贴类）
一、支持企业规模化发展
1、设计类：年度销售收入首次突破 5000 万元、1 亿元、3 亿元、5 亿元、10 亿元的，经认定后分别给予最高不超过 100 万元、150 万元、200 万元、300 万 元、500 万元的一次性奖励。
2、制造、封装测试类：年度销售收入首次突破 5 亿元、10 亿元、50 亿元、 100 亿元的，经认定后分别给予最高不超过 200 万元、800 万元、1200 万元、1500 万元的一次性奖励。
3、装备及材料类：年度销售收入首次突破 5000 万元、1 亿元、5 亿元、10 亿元的，经认定后分别给予最高不超过 200 万元、800 万元、1200 万元、1500 万元的一次性奖励。
4、采购新片区内非关联企业产品和服务，且年采购金额＞500 万元：最高按 实际采购发票额 20%，给予采购方企业资助额≤1000 万元/年。
5、集成电路龙头骨干企业进行产业链垂直整合：支持其开展境内外非关联的 并购重组，成功并购国内外集成电路产业链相关企业或重点研发机构，超过 1000 万的按实际发生额 10%补贴，最高累计 1000 万元。
二、支持 EDA 软件购买和研发
1、购买 EDA 设计工具软件（含软件升级费用)：给予实际发生费用的 50%， 资助总额≤200 万元/年。
2、在新片区从事集成电路 EDA 设计工具研发：每年给予 EDA 研发费用最高 50%的资助，总额≤3000 万元。
三、支持 IP 购买
购买 IP 开展高端芯片研发：实际支付费用的 50%。对采用工艺制程 45nm 以上的，年度资助最高 300 万元；对采用工艺制程 45nm 以下的，年度资助最高 800 万元。
四、支持测试验证
开展工程样片的功能、性能、可靠性、兼容性、失效分析等方面的测试 验证及相关认证：给予实际发生费用的 50%，年度最高 200 万元。
五、支持企业流片
1、使用多项目晶圆（MPW）流片进行研发：按 MPW 直接费用，给予每家企业 （模拟类最高 100%、数字类最高 60%）年度最高 300 万元。
2、首次完成全掩膜（FullMask：IP 授权费、掩膜版费、测试化验费、加工 费等）工程产品流片：流片费用最高 50%。工艺制程 45nm 以上，年度资助总额 不超过 600 万元；工艺制程 45nm 以下，年度资助总额不超过 2000 万元。
六、支持推广应用
1、销售自主研发设计的芯片，且单款芯片产品销售金额累计超过 500 万元： 按当年销售金额最高 10%给予奖励，单款芯片产品年度奖励总额最高 500 万元。
2、销售自主研发生产的集成电路关键核心设备和材料：按照销售金额的最高 30%、一次性给予最高 1000 万元的奖励。
七、支持生产性用电
集成电路封装测试、材料等生产型企业：上一年度用电成本，按照“先交 后补”的方式，给予用电费用 50%的支持，同一企业年度资助不超过 500 万元、 补贴年限最多 3 年。
八、设计人员、核心团队奖励
1、软件设计人员、集成电路设计人员、集成电路高端装备制造人员：在软 件和集成电路企业工作一年以上，并获得核心自主知识产权，软件产品具备软件 检测机构出具的证明材料，个人奖励金额不超过 50 万元。
2、核心团队（企业董事长、副董、总经理、副总等高级管理人员及核心团 队成员）：成立一年以上，连续工作一年以上，成立三年以上的企业原则上近两 年知识产权年增长不低于 3%，研发费用稳定增长，上年度营业收入首次分别达 到 5000 万元、1 亿元、3 亿元、5 亿元、7 亿元、10 亿元、50 亿元、100 亿元或 者 200 亿元以上，累计奖励不超过 100 万元、300 万元、400 万元、500 万元、 600 万元、700 万元、1200 万元、2000 万元、3000 万元，个人不超过 50 万元。
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